HIDISC 産業向けpSLC microSD製品につきまして
HIDISC 産業向けpSLC microSD製品につきまして

HIDISC 産業向けpSLC microSD製品につきまして

(1) 製品と市場の位置付け

1) 産業向けpSLC microSD製品特性:

・PE cycle:30,000 回 ・静電気防止、防振、防湿
・産業用ワイド温度-40℃~85℃ ・高信頼性pSLCチップ
・安定なシーケンシャル及びランダムの読み取り/書き
込み
・5年以上ライフサイクル
・断電意外のデーター保護 ・Smart機能
   

2)アプリケーション:

・車載モニター:ブラックボックス、DVR、車載記録デバイス。
・エネルギーマイニング:エネルギーマイニング設備。
・医療設備:医療設備、患者診断モニター。
・産業自動化:産業設備、産業自動化/ロボット、データーロガー。
・産業モニターシステム

 

(2) pSLC技術とは

・SLC: Single-Level Cell
‣MLC: Multi-Level Cell
・TLC: Triple-Level Cell
・pSLC: Pseudo Single-Level Cell
 

図1

TLC 3bit/cellは8つの電圧状態であり、SLC 1bit/cellは2つの電圧状態であり電圧状態が少ないと、電圧差が大きくなります。電圧差が大きくなるpSLC技術は高P/E cycle、高耐障害性、高い安定性といった特徴があります。

 

(3) pSLCを選ぶ理由

1)データエラーが発生しにくい。

図2:MLC電子損失

電圧漏れで、電圧値が左シフトする。基準電圧が
無効になり、データーエラーが発生する。

 

図3:pSLC電子損失電圧漏れで電圧値が左シフトするが、基準電圧が有効に作用しデーターエラーが発生しにくい。そのため、pSLCは耐障害性があり、データー保証時間が長い。

 

2)pSLCのメリットデメリット

メリット : 3bit/cellのTLC NANDを1bit/cell SLCに
変更した,高性能、高寿命、高耐障害性、高安定性の特徴
がある。

デメリット:3bit/cellを1bit/cellに変更する関係上,面積当たりの容量が従
来の1/3になるため高価格となる。

NAND 耐久性 特性 信頼性 コスト
SLC ★★★★★ ★★★ ★★★★★ ★★★★★
pSLC ★★★★ ★★★★★ ★★★★ ★★★
MLC ★★ ★★ ★★ ★★
TLC

図4:

 

製品ラインナップ

型番 HDMCSDHC8GPSLJP3  HDMCSDHC16GPSLJP3  HDMCSDHC32GPSLJP3  HDMCSDXC64GPSLJP3  HDMCSDXC128GPSLJP3 
容量 GB 8 16 32 64 128
CTRL SM2705 SM2705 SM2705 SM2705 SM2707
動作温度 Samsung pSLC Samsung pSLC Samsung pSLC Samsung pSLC Samsung pSLC
保存温度 -40~85℃ -40~85℃ -40~85℃ -40~85℃ -40~85℃
耐久性 -40~85℃ -40~85℃ -40~85℃ -40~85℃ -40~85℃
データリテンション

≦10% P/E: 5年

100% P/E:1年

≦10% P/E: 5年

100% P/E:1年

≦10% P/E: 5年

100% P/E:1年

≦10% P/E: 5年

100% P/E:1年

≦10% P/E: 5年

100% P/E:1年

TBW 219 433 874 1735 3461
MTBW 3,000,000hrs 3,000,000hrs 3,000,000hrs 3,000,000hrs 3,000,000hrs
PPW ≦50 PPM ≦50 PPM ≦50 PPM ≦50 PPM ≦50 PPM
           
           

(4)厳格な品質管理

microSDカード1枚ずつ下記テストを実施し、製品の品質を担保します。

-Flashソーティング
・ 高温ソーティング:85℃安定動作の確認
・ 低温ソーティング:-40℃安定動作の確認
・ 高低温ソーティング:-40~85℃温度差における動作確認

(4)電断データ保護

図:5

下記を保護致します。

・ オリジナルデーター,
・ 断電前編集したデーター
・ 未完成の編集ブロック

(5)安定性

図6:

• 0~300 P/E cycles シーケンシャル書き込み速度曲線で、60MB/s以上の性能を維持。
• 測定条件:カード読み取り, CLK 200MHz,CMD25 transfer size=1024KByte,書き込み。

図7:

• 0~30 P/E cycles 4Kランダム書き込み曲線。ランダムの書き込みでも5.66MB/s以上の安定性を維持。
• 測定条件:カードリーダー, CLK 200MHz,CMD25 transfer size=4KByte,ランダム書き込み。

 

 

 

  • ピンバック: HIDISC pSLC microSD64GB – HIDISC 株式会社磁気研究所

  • ピンバック: HIDISC pSLC microSD16GB – HIDISC 株式会社磁気研究所

  • ピンバック: HIDISC pSLC microSD8GB – HIDISC 株式会社磁気研究所

  • ピンバック: HIDISC pSLC microSD32GB – HIDISC 株式会社磁気研究所

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